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龙图腾网恭喜江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种AlGaInP基外延片、制备方法及LED获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119069596B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411562580.3，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种AlGaInP基外延片、制备方法及LED是由黄莉婷;焦二斌;陈铭胜;文国昇;金从龙设计研发完成，并于2024-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种AlGaInP基外延片、制备方法及LED在说明书摘要公布了：本发明提供一种AlGaInP基外延片、制备方法及LED，该外延片由下至上依次包括衬底、中间层、N型半导体层、有源层以及P型半导体层，所述N型半导体层包括靠近所述有源层设置的谐振势阱层，所述谐振势阱层包括势阱子层以及设于所述势阱子层两端的势垒子层，所述势垒子层为非掺杂的AlGaInP子层，所述势阱子层包括由下至上呈周期交替设置的AlxGa1‑x0.5In0.5P第一子层以及AlYGa1‑Y0.5In0.5P第二子层，所述AlxGa1‑x0.5In0.5P第一子层的禁带宽度由下至上逐渐下降，所述AlYGa1‑Y0.5In0.5P第二子层的势垒高于AlxGa1‑x0.5In0.5P第一子层的势垒，本发明可以使多阱之间发生谐振现象，捕获更多电子，提高电子横向扩展率，并降低电子移动速度，降低外延片被击穿的风险。

本发明授权一种AlGaInP基外延片、制备方法及LED在权利要求书中公布了：1.一种AlGaInP基外延片，其特征在于，由下至上依次包括衬底、中间层、N型半导体层、有源层以及P型半导体层，所述N型半导体层包括靠近所述有源层设置的谐振势阱层，所述谐振势阱层包括势阱子层以及设于所述势阱子层两端的势垒子层，所述势垒子层为非掺杂的AlGaInP子层，所述势阱子层包括由下至上呈周期交替设置的AlxGa1-x0.5In0.5P第一子层以及AlYGa1-Y0.5In0.5P第二子层，所述AlxGa1-x0.5In0.5P第一子层的禁带宽度由下至上逐渐下降，所述AlYGa1-Y0.5In0.5P第二子层的势垒高于AlxGa1-x0.5In0.5P第一子层的势垒；所述AlxGa1-x0.5In0.5P第一子层和所述AlYGa1-Y0.5In0.5P第二子层的层叠周期为2~8；在所述AlxGa1-x0.5In0.5P第一子层中，0≤x≤0.7，在所述AlYGa1-Y0.5In0.5P第二子层中，0.7Y1。

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