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龙图腾网恭喜珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司申请的专利模型生成方法、仿真方法、装置、电子设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119227618B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411718306.0，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权模型生成方法、仿真方法、装置、电子设备及存储介质是由彭弼设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本模型生成方法、仿真方法、装置、电子设备及存储介质在说明书摘要公布了：本申请公开了一种模型生成方法、仿真方法、装置、电子设备及存储介质，属于仿真技术领域，包括：获取高电子迁移率晶体管的第一样本数据，以及第一样本数据对应的漏极电流标签；其中，第一样本数据包括样本栅源电压值、样本漏源电压值、样本结温值、样本第一陷阱时间值和样本第二陷阱时间值；基于第一神经网络根据第一样本数据输出的预测漏极电流和漏极电流标签确定电流损失值；基于电流损失值调整第一神经网络的参数，得到目标仿真模型。能够根据高电子迁移率晶体管在多种结温和陷阱时间值下的实测数据构建训练样本对包含神经网络的动态场效应晶体管模型进行训练，有助于提升针对高电子迁移率晶体管建立的目标仿真模型的准确性。

本发明授权模型生成方法、仿真方法、装置、电子设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种模型生成方法，其特征在于，所述方法包括：获取高电子迁移率晶体管的第一样本数据，以及所述第一样本数据对应的漏极电流标签；其中，所述第一样本数据包括样本栅源电压值、样本漏源电压值、样本结温值、样本第一陷阱时间值和样本第二陷阱时间值；将所述第一样本数据输入初始动态场效应晶体管模型的第一神经网络，得到所述第一神经网络输出的预测漏极电流；基于所述预测漏极电流和所述漏极电流标签确定电流损失值；基于所述电流损失值调整所述第一神经网络的参数，得到第二神经网络，进而得到包含所述第二神经网络的目标仿真模型；其中，所述目标仿真模型用于根据输入的目标栅源电压值和目标漏源电压值，模拟所述高电子迁移率晶体管的目标结温值、目标第一陷阱时间值和目标第二陷阱时间值，并基于所述目标栅源电压值、所述目标漏源电压值、所述目标结温值、所述目标第一陷阱时间值和所述目标第二陷阱时间值，模拟高电子迁移率晶体管的目标漏极电流；所述目标仿真模型还包括用于根据所述目标栅源电压值输出目标第一陷阱时间值的第一捕获发射模块，以及用于根据所述目标漏源电压值输出目标第二陷阱时间值的第二捕获发射模块，所述第二神经网络用于根据输入的目标栅源电压值、目标漏源电压值、目标结温值、目标第一陷阱时间值和目标第二陷阱时间值，输出目标漏极电流。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司，其通讯地址为：519070 广东省珠海市横琴新区汇通三路108号办公608；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。