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龙图腾网恭喜华中科技大学申请的专利一种提升硒化镉薄膜质量的原位气封退火方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172514B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210760569.2，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种提升硒化镉薄膜质量的原位气封退火方法是由唐江;薛家有;陈超;杨许可;李康华;卢岳;包晓庆设计研发完成，并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提升硒化镉薄膜质量的原位气封退火方法在说明书摘要公布了：本发明属于光电材料及薄膜太阳能电池制备领域，公开了一种提升硒化镉薄膜质量的原位气封退火方法，该方法是以快速热蒸发方法制备得到的硒化镉薄膜为处理对象，在保护性气体的气氛环境、且气氛环境的压强在50～500Torr的条件下，于450～600℃温度对该硒化镉薄膜进行原位退火，由此得到的退火后的硒化镉薄膜相较于处理前的硒化镉薄膜，孔洞数量更少，且粗糙度也更小。本发明通过在特定温度及特定环境气氛条件下对硒化镉薄膜进行原位热退火处理，能够解决现有的基于快速热蒸发法制备的硒化镉薄膜质量不佳的技术问题。

本发明授权一种提升硒化镉薄膜质量的原位气封退火方法在权利要求书中公布了：1.一种提升硒化镉薄膜质量的原位气封退火方法，其特征在于，该方法是以快速热蒸发方式制备得到的硒化镉薄膜为处理对象，在保护性气体的气氛环境、且腔室的压强为50～500Torr的条件下，于450～600℃温度对该硒化镉薄膜进行原位退火，由此得到的退火后的硒化镉薄膜相较于处理前的硒化镉薄膜，孔洞数量更少，且粗糙度也更小；其中：处理对象硒化镉薄膜是通过快速热蒸发方式制备得到的，具体是：在沉积腔内，将导电基底加热至400-480℃温度并维持不少于15min，以硒化镉粉末为蒸发源，将所述蒸发源加热至800-850℃，制备过程中真空度不高于1Pa，即可得到硒化镉薄膜；所述原位退火具体是：在沉积完成后，立即向所述沉积腔内通入保护性气体，调整腔室真空度以控制腔室的压强，然后调整基底温度至450～600℃的目标退火温度，从而进行退火处理，如此通过将基底温度控制为450～600℃及增大腔室压强至50～500Torr使刚沉积的非稳态薄膜与腔室内的蒸气在微表面交换，促使填充孔洞，表面形貌更加平整。

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