恭喜深圳职业技术学院;北京大学深圳研究生院章晨获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳职业技术学院;北京大学深圳研究生院申请的专利一种柔性有机半导体纳米线的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513374B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211179101.0，技术领域涉及：H10K85/10；该发明授权一种柔性有机半导体纳米线的制备方法是由章晨;罗少川;汪太民;滕超;李林玲;王勇设计研发完成，并于2022-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种柔性有机半导体纳米线的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种柔性有机半导体纳米线的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1将一定质量的有机半导体材料与弹性体和溶剂混合后得到共混溶液；S2将掩膜版覆盖在基底表面，通过刻蚀对基底进行表面修饰，在基底上形成凹槽；S3将基底固定于旋转台一侧，在基底上滴加所述共混溶液后开启旋转台，溶液沿着基底凹槽固化形成纳米线。使用有机半导体与弹性体的共混溶液，在离心旋涂过程中，使得半导体材料在弹性体内部形成相分离连续网络，并同时在基底凹槽内固化形成纳米线，可以高效制备宽度窄，长度长，高柔性抗拉伸，并且载流子迁移率高的有机半导体纳米线。
本发明授权一种柔性有机半导体纳米线的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种柔性有机半导体纳米线的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：S1将一定质量的有机半导体材料与弹性体和溶剂混合后得到共混溶液；S2将掩膜版覆盖在基底表面，通过刻蚀对基底进行表面修饰，在基底上形成凹槽；S3将基底固定于旋转台一侧，在基底上滴加所述共混溶液后开启旋转台，溶液沿着基底凹槽固化形成纳米线。
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