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龙图腾网恭喜加利福尼亚大学董事会申请的专利使用外延横向过生长制造非极性和半极性器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112219287B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980034576.0，技术领域涉及：H10H20/817；该发明授权使用外延横向过生长制造非极性和半极性器件的方法是由T.卡米卡瓦;S.甘德罗图拉;H.李设计研发完成，并于2019-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本使用外延横向过生长制造非极性和半极性器件的方法在说明书摘要公布了：一种制造半导体器件的方法，包括：在III族氮化物衬底上或上方形成生长限制掩模，以及使用该生长限制掩模在III族氮化物衬底上生长一个或多个岛状III族氮化物半导体层。III族氮化物衬底具有大于0.1度的离轴取向的平面内分布；并且m平面取向的结晶表面平面的离轴取向朝向c平面为约+28度至约‑47度。岛状III族氮化物半导体层具有至少一个长边和短边，其中长边垂直于岛状III族氮化物半导体层的a轴。岛状III族氮化物半导体层不与相邻的岛状III族氮化物半导体层聚结。

本发明授权使用外延横向过生长制造非极性和半极性器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种器件，包括：一个或多个岛状III族氮化物半导体层，其具有m平面取向的结晶表面平面的离轴取向，其中：所述岛状III族氮化物半导体层生长在沉积在III族氮化物衬底上的生长限制掩模中的开口区域中；所述岛状III族氮化物半导体层的所述m平面取向的结晶表面平面的离轴取向朝向所述岛状III族氮化物半导体层的c平面为+28度至-47度；并且所述岛状III族氮化物半导体层具有至少一个长边和至少一个短边，其中长边垂直于岛状III族氮化物半导体层的a轴，所述岛状III族氮化物半导体层在所述岛状III族氮化物半导体层的短边处具有高度小于0.2微米的边缘生长区域，在边缘生长区域中所述岛状III族氮化物半导体层的生长受到限制，所述边缘生长区域位于所述岛状III族氮化物半导体层的边缘并具有小于5微米的宽度；和所述岛状III族氮化物半导体层具有没有小丘的平坦表面区域。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人加利福尼亚大学董事会，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。