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龙图腾网恭喜盛合晶微半导体(江阴)有限公司申请的专利可提高金垫识别度的封装方法及半导体封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113972146B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010711785.9，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权可提高金垫识别度的封装方法及半导体封装结构是由王荣荣;刘翔;周祖源;吴政达设计研发完成，并于2020-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本可提高金垫识别度的封装方法及半导体封装结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种可提高金垫识别度的封装方法及半导体封装结构。封装方法包括步骤：1提供衬底，于衬底表面形成金属种子层；2于金属种子层表面的预定位置经电镀形成基底铜层，基底铜层部分覆盖金属种子层；3形成光刻胶层，光刻胶层覆盖基底铜层和未被基底铜层覆盖的金属种子层，对光刻胶层进行曝光显影以在对应基底铜层的表面形成开口，开口暴露出部分基底铜层；4形成铜垫层，位于基底铜层的上表面；5于铜垫层表面依次经电镀形成镍垫层和金垫层；6进行光刻胶剥离工艺以去除步骤5得到的结构表面残留的光刻胶层；7去除未被基底铜层覆盖的金属种子层。本发明有助于提高金垫的识别度，有助于提高焊线工艺的生产良率。

本发明授权可提高金垫识别度的封装方法及半导体封装结构在权利要求书中公布了：1.一种可提高金垫识别度的封装方法，其特征在于，所述封装方法包括步骤：1提供衬底，于所述衬底表面形成金属种子层；2于所述金属种子层表面的预定位置经电镀形成基底铜层，所述基底铜层部分覆盖所述金属种子层；3形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述基底铜层和未被所述基底铜层覆盖的金属种子层，对所述光刻胶层进行曝光显影以在对应所述基底铜层的表面形成开口，所述开口暴露出部分所述基底铜层；4于所述开口内经电镀形成铜垫层，所述铜垫层位于所述基底铜层的上表面；5于所述铜垫层表面依次经电镀形成镍垫层和金垫层，所述镍垫层位于所述铜垫层的上表面，所述金垫层位于所述镍垫层的上表面；所述金垫层和所述镍垫层的厚度小于500nm，所述铜垫层的厚度大于等于100μm；所述金垫层的表面积和所述镍垫层的表面积小于所述基底铜层的表面积且不大于所述铜垫层的表面积；6进行光刻胶剥离工艺以去除步骤5得到的结构表面残留的光刻胶层；7采用刻蚀工艺去除未被所述基底铜层覆盖的所述金属种子层，所述金属种子层、基底铜层、所述铜垫层、所述镍垫层及所述金垫层共同构成导电柱。

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