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恭喜西安电子科技大学芜湖研究院宋庆文获国家专利权

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龙图腾网恭喜西安电子科技大学芜湖研究院申请的专利一种高度可调节式碳化硅功率器件封装外壳获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113451221B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110759587.4,技术领域涉及:H01L23/04;该发明授权一种高度可调节式碳化硅功率器件封装外壳是由宋庆文;王浩东;袁昊;汤晓燕;刘科宇;韩超;吴勇;张玉明设计研发完成,并于2021-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。

一种高度可调节式碳化硅功率器件封装外壳在说明书摘要公布了:本发明公开了一种高度可调节式碳化硅功率器件封装外壳,包括:主盖、副盖和芯片承载本体;主盖,底部设有第一插接槽;副盖,顶部与第一插接槽可拆卸连接,底部设有第二插接槽;第二插接槽,与芯片承载本体的顶部可拆卸连接;芯片承载本体内设置有SiC芯片。本发明通过主盖和副盖的可拆卸连接以及副盖和芯片承载本体的可拆卸连接,在主盖和芯片承载本体之间可以将副盖拆卸或连接。当主盖和芯片承载本体之间连接副盖时,增加了SiC器件的整体高度厚度,从而在使用时可以对SiC芯片形成较为可靠的保护。当将副盖从主盖和芯片承载本体之间拆下时,SiC器件的整体高度较低,满足测试需求,提升了SiC器件使用和测试时的便捷性。

本发明授权一种高度可调节式碳化硅功率器件封装外壳在权利要求书中公布了:1.一种高度可调节式碳化硅功率器件封装外壳,其特征在于,包括:主盖10、副盖20和芯片承载本体30;所述主盖10,底部设有第一插接槽11;所述副盖20,顶部与所述第一插接槽11可拆卸连接,底部设有第二插接槽21;所述第二插接槽21,与所述芯片承载本体30的顶部可拆卸连接;所述芯片承载本体30内设置有SiC芯片40。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学芜湖研究院,其通讯地址为:241000 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包产业园4号楼1205室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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