恭喜聚芯半导体科技(深圳)有限公司赵燕获国家专利权
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龙图腾网恭喜聚芯半导体科技(深圳)有限公司申请的专利功率半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188671B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210103058.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权功率半导体结构及其制造方法是由赵燕设计研发完成，并于2022-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种功率半导体结构的制造方法，包括：提供具有第一导电类型的半导体衬底；依次在所半导体述衬底内形成沟槽，位于沟槽的边缘和所述沟槽的底部的栅极氧化层，以及填充沟槽的介质层；依次在所半导体衬底上形成基区、源区及绝缘层；形成穿过所述绝缘层和所述源区且到达所述基区的接触孔，所述接触孔的底部形成有孔槽，所述接触孔的一侧自对准一栅极氧化层的边界，所述接触孔的另一侧与相邻的栅极氧化层保持设定间距；在所述孔槽下方形成具有第二导电类型的重掺杂区，该方法能够改善该类器件的可制造性和一致性。
本发明授权功率半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供具有第一导电类型的半导体衬底；依次在所述半导体衬底内形成沟槽，位于沟槽的边缘和所述沟槽的底部的栅极氧化层，以及填充沟槽的介质层；依次在所述半导体衬底上形成基区、源区及绝缘层；形成穿过所述绝缘层和所述源区且到达所述基区的接触孔，所述接触孔的底部形成有孔槽，所述接触孔的一侧自对准一栅极氧化层的边界，所述接触孔的另一侧与相邻的栅极氧化层保持设定间距，所述形成穿过所述绝缘层和所述源区且到达所述基区的接触孔，包括：涂覆光刻胶，以一栅极氧化层为一边界，刻蚀出设定大小的窗口，所述接触孔的另一侧与相邻的栅极氧化层保持设定间距；基于所述窗口刻蚀形成倒梯形沟槽；进一步刻蚀，使得该沟槽的底部形成略穿过绝缘层和源区且到达体区的孔槽；在所述孔槽下方形成具有第二导电类型的重掺杂区。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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