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龙图腾网恭喜西安工程大学申请的专利碳布模板构筑Ni/SnS₂@Ni(OH)₂的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613607B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210242821.0，技术领域涉及：H01G11/30；该发明授权碳布模板构筑Ni/SnS₂@Ni(OH)₂的方法是由梁苗苗;尚家旭;杨程;魏子尧;赵志;李文轩;付翀设计研发完成，并于2022-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳布模板构筑Ni/SnS₂@Ni(OH)₂的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了碳布模板构筑NiSnS2@NiOH2的方法，具体按照以下步骤实施：步骤1，制备Ni掺杂的SnS2纳米片阵列；步骤2，制备NiSnS2@NiOH2；本发明方法简单，成本较低；制备的超级电容器正极材料具有较高的面积比容量和功率密度，表现出良好的电化学性能；且首次合成NiSnS2@NiOH2材料，具有创新性；良好的电化学性能，具有实用性。

本发明授权碳布模板构筑Ni/SnS₂@Ni(OH)₂的方法在权利要求书中公布了：1.碳布模板构筑NiSnS2@NiOH2的方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1、制备Ni掺杂的SnS2纳米片阵列；所述步骤1具体如下：步骤1.1，所采用化学品包括硝酸HNO3、硫酸H2SO4、四氯化锡SnCl4、六水合氯化镍NiCl2·6H2O和硫代乙酰胺TAA，合成前，将碳布浸入HNO3和H2SO4混合溶液中，去除表面杂质和活化，然后在空气中干燥，记为样品A；步骤1.1中碳布大小为1×3～2×3cm，HNO3和H2SO4混合溶液的质量比为3:1；步骤1.2，将无水SnCl4、NiCl2·6H2O和硫代乙酰胺TAA溶解在去离子水中并搅拌，记为溶液B；步骤1.2中无水SnCl4为1～3mmol、NiCl2·6H2O为0.1～0.3mmol，硫代乙酰胺TAA为0.8～1mmol，去离子水为5～30mL，搅拌为磁力搅拌，搅拌时间为20～30min；步骤1.2中，所述无水SnCl4、NiCl2·6H2O和硫代乙酰胺TAA的摩尔比为10:1.5:5～10:0.5:5；步骤1.3，将样品A和溶液B同时转移到聚四氟乙烯衬里的高压釜中，保持一段时间，然后自然冷却至室温，将得到的碳布表面原位生长的NiSnS2前体用去离子水和乙醇超声洗涤数次，然后在真空干燥过夜，将得到Ni掺杂的SnS2纳米片阵列；记为样品C；步骤1.3中保持时间为4～8h，保持温度为150～170℃，真空干燥温度为60～90℃；步骤2、制备NiSnS2@NiOH2；所述步骤2具体如下：步骤2.1，将0.1～1.5mmolNiCl2·6H2O和0.1～5mmol尿素溶于5～30ml去离子水中，进行常温磁力搅拌，直到形成浅绿色透明溶液，记为溶液D；步骤2.1中，NiCl26H2O为0.1～1.5mmol，尿素为0.1～5mmol，去离子水为5～30ml，氯化镍和尿素的摩尔比为1:2～1:4；步骤2.2，将所述步骤1得到的样品C和步骤2.1得到的溶液D同时转移到高压釜中保持一段时间，自然冷却至室温后，所得样品用乙醇和超纯水冲洗数次，然后真空干燥过夜，将得到NiSnS2@NiOH2样品，记为样品E，步骤2.2中保持时间为1～2h，保持温度为90～110℃；真空干燥温度为60～90℃。

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