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摘要：本发明提出了一种高稳定性栅极的高电子迁移率晶体管的制备方法，包括以下步骤：1源极和漏极的欧姆接触工艺；2聚合物的涂覆工艺；3第一层光刻工艺；4第二层光刻工艺；5栅极刻蚀工艺；6金属蒸镀工艺；7金属和光刻胶去除工艺；8聚合物去除工艺。本发明可以提高栅极稳定性的同时又保持器件的高频性能；本发明只需在现有工艺的基础上多外延一层聚合物层，需要增加的工艺流程少，工艺简单，成本低；本发明通过对聚合物层刻蚀的控制，能够更好的控制栅极的形状。
主权项：1.一种高稳定性栅极的高电子迁移率晶体管的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：1源极和漏极的欧姆接触工艺：包括外延片，外延片从下到上依次包括层叠在一起的半导体材料衬底层、pHEMT器件结构层和盖帽层；在盖帽层的源极区和漏极区进行金属蒸镀形成源极和漏极，并通过欧姆接触工艺，使源极和漏极与盖帽层欧姆接触；2聚合物的涂覆工艺：在盖帽层、源极和漏极上涂覆聚合物层；3第一层光刻工艺：在聚合物层上涂覆第一层光刻胶，在栅极区、源极区和漏极区位置进行曝光、显影和刻蚀，去除第一层光刻胶和聚合物层，在聚合物层上形成栅极区凹槽、源极区凹槽和漏极区凹槽；4第二层光刻工艺：去除剩余的第一层光刻胶，然后再涂覆上第二层光刻胶，在栅极区的位置进行曝光、显影，在第二层光刻胶上形成位于栅极区凹槽上方的栅极区上凹槽；5栅极刻蚀工艺：对栅极区凹槽下方的盖帽层进行刻蚀，露出pHEMT器件结构层，在盖帽层上形成栅极区下凹槽；6金属蒸镀工艺：对栅极区进行金属蒸镀，形成栅极，栅极的下端与pHEMT器件结构层固定接触；7金属和光刻胶去除工艺：将蒸镀产生的多余的金属进行剥离，去除第二层光刻胶，再进行清洗；8聚合物去除工艺：通过刻蚀去除聚合物层。
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