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摘要：本发明提供了一种MOSFET栅极负反馈有源驱动电路，用于SiC、GaN等宽禁带半导体器件在桥臂电路中的高速驱动。基于负反馈控制原理，在不牺牲开关速度的前提下，自动抑制栅源电压干扰，实现高速开关下的栅压稳定。所述电路包括：驱动推挽电路、驱动电阻、辅助电容和辅助MOSFET。其中驱动推挽电路为普通的MOSFET驱动芯片，驱动电阻为电阻R，辅助电容为电容C，辅助MOSFET为P沟道MOSFETQp。该MOSFET栅极负反馈有源驱动电路结构简单，易于实现，可在不牺牲SiC、GaN等宽禁带半导体器件开关速度的前提下，自动抑制栅源电压干扰，实现高速开关下的栅压稳定。

主权项：1.一种MOSFET栅极负反馈有源驱动电路，用于连接驱动信号，进行控制被控MOSFET的开和关，其特征在于：包括：一辅助MOSFET，所述辅助MOSFET为P沟道MOSFET，所述辅助MOSFET源极与被控MOSFET栅极相连接，用于构造负反馈调节机制，所述辅助MOSFET漏极连接到驱动电压；所述驱动电压为驱动芯片经过无源网络滤波后的电压；还包括：第一节点、第二节点以及第三节点；驱动推挽电路，用于提供驱动电流以驱动被控MOSFET，所述驱动信号连接至所述驱动推挽电路，所述驱动推挽电路与第三节点串联；驱动电阻R，所述驱动电阻R一端与驱动推挽电路串联，另一端与第一节点相连，用于限制驱动推挽电路对辅助电容C的充放电电流，第一节点与被控MOSFET源极之间的电压差为驱动电压；辅助电容C，所述辅助电容C一端与第一节点相连接，另一端通过第三节点与被控MOSFET源极相连接，与驱动电阻R构成无源网络，用于调节被控MOSFET的开关速度；所述辅助MOSFET漏极和栅极通过第二节点与所述驱动电阻R串联，所述辅助MOSFET源极与被控MOSFET栅极相连接，用于构造负反馈调节机制；所述驱动推挽电路包括一MOSFET驱动芯片、开通偏置电压VCC以及关断偏置电压VEE；所述MOSFET驱动芯片输出电源正端口连接至开通偏置电压VCC的正极，所述MOSFET驱动芯片输出电源负端口连接至关断偏置电压VEE的负极，所述MOSFET驱动芯片的驱动输出端口连接至所述驱动电阻R的一端，所述驱动芯片的驱动输入端口连接至驱动信号；所述开通偏置电压VCC的负极以及关断偏置电压VEE的正极均连接至所述第三节点；在驱动能力上，MOSFET的驱动芯片输出电流应不小于VCC-VEERg，其Rg为被控MOSFET的栅极寄生电阻。

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