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摘要：一种半导体器件具有第一衬底。在所述衬底上方设置第一半导体管芯和第二半导体管芯。在所述第一半导体管芯和第二半导体管芯上方设置互连桥。所述互连桥具有第二衬底。在所述第二衬底上方形成导电迹线。所述导电迹线从所述第一半导体管芯电耦合到所述第二半导体管芯。还在所述第二衬底上方形成IPD。所述IPD电耦合在所述第一半导体管芯与第二半导体管芯之间。在所述第一衬底、第一半导体管芯、第二半导体管芯和互连桥上方沉积密封剂。
主权项：1.一种半导体器件，包括：第一衬底；第一半导体管芯，被设置在所述第一衬底上方；第二半导体管芯，被设置在所述第一衬底上方；互连桥，被设置在所述第一半导体管芯和第二半导体管芯上方，其中所述互连桥包括：第二衬底，导电迹线，被形成在所述第二衬底上方，且从所述第一半导体管芯电耦合到所述第二半导体管芯，以及集成无源器件IPD，被形成在所述第二衬底上方，且电耦合在所述第一半导体管芯与第二半导体管芯之间；以及封装剂，被沉积在所述第一衬底、第一半导体管芯、第二半导体管芯和互连桥上方。
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百度查询： 星科金朋私人有限公司 制作具有集成无源器件的互连桥的半导体器件和方法
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