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摘要：本发明公开了一种基于DBC互连的功率半导体封装结构的封装方法，本发明采用DBC互连的方式，相较于传统的金属线键合，通过大尺寸铜柱连接上下DBC板，该方式有利于减小杂散电感，同时铜柱还能够增强散热效果；本发明提供的相变材料，在碳纤维表面原位生成纳米氮化硅，通过原位合成，纳米氮化硅可以在碳纤维表面形成均匀的涂层，避免了共混过程中出现的颗粒聚集问题，同时采用原位生成的方式，能够在微观结构上形成有效的热传导路径，降低热界面热阻，增加热传导效率，从而提升相变材料的导热性能；随后采用硬脂酸对碳纤维负载纳米氮化硼材料进行处理，提高了碳纤维负载纳米氮化硼材料在石蜡中的分散性能，进一步提高了热传导的效率。
主权项：1.一种基于DBC互连的功率半导体封装结构的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、准备下DBC板（1），将焊料（3）涂覆在下DBC板（1）上侧的铜层（2）表面，并将芯片（4）贴装在焊料（3）表面；S2、填充导热胶（5）进行灌封固化；S3、刻蚀孔洞，并在孔洞中生长铜柱（6）；S4、去除多余导热胶（5）和铜柱（6），磨平至与芯片（4）高度一致；S5、采用上DBC板（7）贴装，形成上下DBC板互连结构；S6、分别在上下DBC板的铜层上连接对外端子（8）；S7、分别在上下DBC板的铜层上贴装散热板（9），所述散热板（9）上填充有相变材料（10）；其中，所述相变材料（10）的制备方法如下：S01、将碳纤维加入到硫酸溶液中，加热搅拌处理，随后经过滤、洗涤、干燥，得到预处理碳纤维；S02、将预处理碳纤维浸入硼源溶液中，取出后经烘干处理，随后置于氨气气氛中进行煅烧，得到碳纤维负载纳米氮化硼材料；S03、将碳纤维负载纳米氮化硼材料和硬脂酸加入到乙醇溶剂中，加热搅拌均匀，随后经过滤、干燥，得到复合材料；S04、将石蜡加热至熔融，然后加入步骤S03中所得到的复合材料，搅拌均匀后冷却，粉碎，即得到所述相变材料。
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