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摘要:本申请提供一种形状记忆材料,该形状记忆材料具有R相变双程记忆效应,形状记忆材料中包含R相和B19’马氏体板条,其中R相和B19’马氏体板条存在半共格界面,所述半共格界面存在内应力场,该内应力场用于诱导R相变双程记忆效应。本申请还提供了该形状记忆材料的加工方法,驱动元件及驱动器件。本申请的形状记忆材料具有R相变双程记忆效应,具有较低的热滞后性,响应速度快,回复时间短,循环频率较高,同时具有较高的循环寿命和稳定性。
主权项:1.一种形状记忆材料,其特征在于,所述形状记忆材料具有R相变双程记忆效应,所述形状记忆材料中包含R相和B19’马氏体板条,所述R相和所述B19’马氏体板条之间存在半共格界面,所述半共格界面存在内应力场,所述内应力场用于诱导所述R相发生双程相变。
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百度查询: 华为技术有限公司 形状记忆材料及其加工方法、驱动元件及驱动器件
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