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摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，其在进行偏置电功率的大小的切换的等离子体处理中，抑制形成在被处理基片上的倾斜。等离子体处理装置包括：基座，能够被施加在对被处理基片进行等离子体处理期间中能够切换大小的偏置电功率；静电卡盘，其设置在基座上，能够在中央部载置被处理基片，在外周部以包围被处理基片的方式载置聚焦环；和电介质层，其配置在静电卡盘的外周部与基座或聚焦环之间，具有使静电卡盘的外周部的静电电容与静电卡盘的中央部的静电电容之差减少的静电电容。
主权项：1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：等离子体处理容器；配置在所述等离子体处理容器内的基座；配置在所述基座的上表面的、具有基片配置部和聚焦环配置部的静电卡盘；以包围所述基片配置部上的基片的方式配置在所述聚焦环配置部上的聚焦环；与所述基座电连接的高频电源；配置在所述基座与所述聚焦环配置部之间的电介质层；和控制部，其构成为控制所述高频电源，改变从所述高频电源对所述基座供给的高频电力的大小，所述基座的上表面具有与所述静电卡盘接触的第1面和与所述静电卡盘不接触的第2面，该第2面以包围所述第1面的方式配置，所述电介质层配置在所述聚焦环配置部与所述第2面之间，在所述基片载置于所述静电卡盘的基片配置部并且所述聚焦环载置于所述静电卡盘的聚焦环配置部的状态下，所述聚焦环的上表面的高度与所述基片的上表面的高度一致，选择所述电介质层的厚度和相对介电常数，以使得所述电介质层的静电电容和所述静电卡盘的聚焦环配置部的静电电容的合成静电电容与所述静电卡盘的基片配置部的静电电容一致，所述聚焦环的下表面全部与所述聚焦环配置部接触。
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百度查询： 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
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