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摘要：本公开提供了一种VDMOS器件电荷注入方法、辐射剂量检测方法、电子设备、存储介质和计算机程序产品。VDMOS器件电荷注入方法包括：将N个VDMOS器件设置于电离室中，其中，VDMOS器件的栅极为浮栅，电离室限定出容纳空间，N为大于等于1的正整数；在容纳空间填充气体，气体被配置成与进入容纳空间的射线发生反应产生负电荷和正电荷；向电离室提供射线，以使得气体电离出负电荷和正电荷；以及在电离室上施加第一电压，第一电压在容纳空间中形成具有第一电场方向的第一电场，以使得正电荷注入到VDMOS器件的浮栅中，其中，第一电场方向为浮栅朝向电离室的底面的方向。
主权项：1.一种VDMOS器件电荷注入方法，包括：将N个VDMOS器件设置于电离室中，其中，所述VDMOS器件的栅极为浮栅，所述电离室限定出容纳空间，N为大于等于1的正整数；在所述容纳空间填充气体，所述气体被配置成与进入所述容纳空间的射线发生反应产生负电荷和正电荷；向所述电离室提供射线，以使得所述气体电离出负电荷和正电荷；以及在所述电离室上施加第一电压，所述第一电压在所述容纳空间中形成具有第一电场方向的第一电场，以使得所述正电荷注入到所述VDMOS器件的浮栅中，其中，所述第一电场方向为所述浮栅朝向所述电离室的底面的方向。
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百度查询： 同方威视技术股份有限公司 VDMOS器件电荷注入方法、辐射剂量检测方法和电子设备
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