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摘要：本申请实施例公开了一种微流控像素电路、阵列和微流控芯片，该微流控像素电路包括：测温模块和驱动模块；测温模块设置为感知设定区域的温度；设定区域包括：单个微流控像素所在区域；驱动模块设置为在测温模块感知到任意的第一设定区域的温度高于第一预设温度阈值时，驱动微流控阵列表面温度低于第二预设温度阈值的液体流动到第一设定区域，第二预设温度阈值小于所述第一预设温度阈值；还设置为在测温模块感知到第一设定区域的温度降低到第三预设温度阈值时，驱动液体移出所述第一设定区域。通过该实施例方案，节省了空间，提高了温控精度。
主权项：1.一种微流控像素电路，其特征在于，包括：测温模块和驱动模块；所述测温模块，设置为感知设定区域的温度；所述设定区域包括：单个微流控像素所在区域；所述测温模块包括：电流镜模块和环形振荡器模块；所述驱动模块，设置为在所述测温模块感知到任意的第一设定区域的温度高于第一预设温度阈值时，驱动微流控阵列表面温度低于第二预设温度阈值的液体流动到所述第一设定区域，所述第二预设温度阈值小于所述第一预设温度阈值；还设置为在所述测温模块感知到所述第一设定区域的温度降低到第三预设温度阈值时，驱动所述液体移出所述第一设定区域；其中，所述电流镜模块包括：参考电流源、第一N型铟镓锌氧化物场效应IGZOMOS管、第二N型IGZOMOS管、第一电阻和第一P型MOS管；第一N型IGZOMOS管和所述第二N型IGZOMOS管的栅极相连后，与所述参考电流源的负极相连，所述参考电流源的正极与输入电源相连；所述第一N型IGZOMOS管的源极与所述参考电流源的负极相连；所述第一N型IGZOMOS管的漏极接地；所述第二N型IGZOMOS管的源极与所述第一P型MOS管的漏极相连；所述第二N型IGZOMOS管的漏极接地；所述第一P型MOS管的漏极与所述第一P型MOS管的栅极相连；所述第一P型MOS管的栅极，作为所述电流镜模块的输出端，与所述环形振荡器模块的输入端相连；所述第一P型MOS管的源极与所述第一电阻的第一端相连，所述第一电阻的第二端与所述输入电源相连。
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