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一种Cr3+/Cr4+离子掺杂的NIR-II荧光材料及其制备、应用 

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摘要:本发明属于近红外荧光材料制备技术及近红外光源器件领域,尤其涉及一种Cr3+Cr4+离子掺杂NIR‑II荧光材料及其制备、应用。所述荧光材料的发光中心为Cr3+Cr4+离子,在波长为250‑650nm的紫外‑可见光的激发下发出NIR‑II近红外荧光,所述荧光材料的荧光光谱波长位于900‑1700nm;化学通式为SrLaCrxGa3‑xO7或SrLaCrxScyGa3‑x‑yO7,x代表Cr3+Cr4+离子的掺杂浓度0.001≤x≤0.025,y代表Sc3+掺杂浓度0.001≤y≤0.05。本发明通过调控烧结气氛,分别得到以Cr3+或Cr4+离子为发光中心的荧光材料,该荧光材料产物在紫外‑可见光激发下,整体发射出位于NIR‑II的近红外光。

主权项:1.一种Cr3+Cr4+离子掺杂的NIR-II荧光材料,其特征在于,所述荧光材料的化学通式为SrLaCrxGa3-xO7或SrLaCrxScyGa3-x-yO7,其中,0.001≤x≤0.025,0.001≤y≤0.05,所述荧光材料的发光中心为Cr3+或Cr4+离子。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 山东省科学院新材料研究所 一种Cr3+/Cr4+离子掺杂的NIR-II荧光材料及其制备、应用

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