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摘要：本公开提供了一种半导体器件制造方法，包括：形成下芯片和上芯片；以及将下芯片和上芯片彼此接合。形成下芯片包括：提供下衬底；顺序地形成下层间绝缘膜和预下粘合膜；蚀刻预下粘合膜和下层间绝缘膜的部分以形成下沟槽；使用溅射工艺来形成第一下籽晶膜和第二下籽晶膜。形成上芯片包括：提供上衬底；顺序地形成上层间绝缘膜和预上层粘合膜；蚀刻预上层粘合膜和上层间绝缘膜的部分以形成上沟槽；使用溅射工艺来形成第一上籽晶膜和第二上籽晶膜。
主权项：1.一种半导体器件制造方法，包括：形成下芯片和上芯片；以及将所述下芯片和所述上芯片彼此接合；其中，形成所述下芯片包括：提供下衬底；在所述下衬底上顺序地形成下层间绝缘膜和预下粘合膜；蚀刻所述预下粘合膜的第一部分和所述下层间绝缘膜的第二部分以形成下沟槽；使用溅射工艺在所述下沟槽中形成第一下籽晶膜；以及使用所述溅射工艺在所述第一下籽晶膜上形成第二下籽晶膜，其中，形成所述上芯片包括：提供上衬底；在所述上衬底上顺序地形成上层间绝缘膜和预上粘合膜；蚀刻所述预上粘合膜的第三部分和所述上层间绝缘膜的第四部分以形成上沟槽；使用所述溅射工艺在所述上沟槽中形成第一上籽晶膜；以及使用所述溅射工艺在所述第一上籽晶膜上形成第二上籽晶膜，并且其中，所述第二下籽晶膜和所述第二上籽晶膜包括锰Mn。
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百度查询： 三星电子株式会社 半导体器件制造方法和使用该半导体器件制造方法而制造的半导体器件
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