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摘要：本发明公开了一种半导体激光器脊形钝化结构、方法及半导体激光器。所述半导体激光器脊形钝化方法包括：至少使半导体激光器脊形结构与氢等离子体接触，从而至少在所述脊形结构的侧壁和所述脊形结构两侧的台面上生成原位钝化层。与现有技术相比，本发明通过将H‑plasma钝化技术应用于激光器脊形结构的钝化处理，不仅钝化工艺更稳定，还可避免钝化层包覆不全等不利影响，而且散热性更好，且更节省集成空间，从而可以有效地降低半导体激光器的侧壁漏电，显著减小半导体激光器的阈值电流，大幅提高半导体激光器的输出功率。
主权项：1.一种半导体激光器脊形钝化结构，其特征在于，包括：原位钝化层，至少形成在半导体激光器的脊形结构与氢等离子体接触的区域上。
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百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 半导体激光器脊形钝化结构、方法及半导体激光器
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