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摘要：本发明公开了一种S形硅漂移探测器及其设计方法，所述探测器包括长方体状的硅基底，硅基底顶面相对的两边缘处均设有收集阳极，收集阳极间设有链条状的正面漂移阴极，正面漂移阴极呈S形排布在硅基底上，硅基底底部设有反面漂移阴极，反面漂移阴极和收集阳极上附着有铝层，硅基底和正面漂移阴极顶部设有二氧化硅层，正面漂移阴极两端和中间的二氧化硅层被刻蚀掉，其上附有铝层；本发明能够自主分压，使用方便，有效探测面积较大，电荷收集效率、能量分辨率和灵敏度较好。
主权项：1.S形硅漂移探测器，其特征在于，包括长方体状的硅基底4，硅基底4顶面相对的两个边缘处都设有收集阳极1，所述收集阳极1之间设有链条状的正面漂移阴极2，所述正面漂移阴极2S形排布在硅基底4顶面，所述硅基底4底部设有反面漂移阴极3，所述收集阳极1、反面漂移阴极3上均附着有铝层6，所述硅基底4顶面和正面漂移阴极2顶面均附着有二氧化硅层5，所述正面漂移阴极2两端和中间的二氧化硅层5被刻蚀掉，其上附有铝层6；所述反面漂移阴极3为片状电极或与正面漂移阴极2结构相同的链条状电极；所述正面漂移阴极2的宽度由中间向两边逐渐增加，相邻所述正面漂移阴极2的间距为定值或从中间到两端逐渐增加；所述硅基底4为N型高阻硅，掺杂浓度为4×1011cm-3～2×1012cm-3，所述收集阳极1为N型重掺杂硅，所述正面漂移阴极2和反面漂移阴极3均为P型重掺杂硅，收集阳极1、正面漂移阴极2和反面漂移阴极3的掺杂浓度均为1016cm-3～1020cm-3。
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