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摘要：本实用新型涉及光伏电池技术领域，具体公开了一种新型钝化接触结构及具有该新型钝化接触结构的光伏电池。该新型钝化接触结构，包括：设于衬底硅片的表面的隧穿氧化层，及键合于隧穿氧化层的表面的单晶硅层；其中，所述隧穿氧化层的厚度小于或等于2nm；所述单晶硅层的厚度为100～150nm。该新型钝化接触结构中的单晶硅层通过取代现有钝化接触结构的多晶硅层，来减少寄生吸收，弥补900～1100nm的长波处的电流密度损失，并提高电子迁移率，还减少载流子复合损失，故而使得具有该新型钝化接触结构的光伏电池的短路电流、开路电压及填充因子均得到有效提升，进而实现光伏电池的转化效率的进一步提升。
主权项：1.一种新型钝化接触结构，其特征在于，包括：设于衬底硅片的表面的隧穿氧化层，及键合于隧穿氧化层的表面的单晶硅层；其中，所述隧穿氧化层的厚度小于或等于2nm；所述单晶硅层的厚度为100～150nm。
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百度查询： 泰州中来光电科技有限公司 一种新型钝化接触结构及光伏电池
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