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摘要：本发明涉及一种可降低电压应力的沟槽栅功率器件。其包括对任一元胞，至少包括两个沟槽栅，并在两个沟槽栅间设置高阻区结构；所述高阻区结构包括设置于两个沟槽栅之间的第二导电类型浮置区以及与所述第二导电类型浮置区对应的主结接触孔组，其中，所述主结接触孔组包括分布于所对应第二导电类型浮置区端部的主结接触孔，且所述第二导电类型浮置区两端部的主结接触孔还与主结对应；在所述主结接触孔内填充器件正面第一电极金属，填充在主结接触孔内的器件正面第一电极金属与第二导电类型浮置区欧姆接触，且器件正面第一电极金属与主结电连接；沟槽栅与器件正面第二电极金属电连接。本发明可降低功率器件在导通瞬间的电压应力以及通态损耗。
主权项：1.一种可降低电压应力的沟槽栅功率器件，其特征是，所述沟槽栅功率器件包括：半导体基板，呈第一导电类型；有源区，分布于所述半导体基板的中心区域，包括若干并联分布的元胞，其中，对任一元胞，至少包括两个沟槽栅，并在两个沟槽栅间设置用于降低电压应力的高阻区结构；所述高阻区结构包括设置于两个沟槽栅之间的第二导电类型浮置区以及与所述第二导电类型浮置区对应的主结接触孔组，其中，所述主结接触孔组包括分布于所对应第二导电类型浮置区端部的主结接触孔，且所述第二导电类型浮置区两端部的主结接触孔还与主结对应；在所述主结接触孔内填充器件正面第一电极金属，填充在主结接触孔内的器件正面第一电极金属与第二导电类型浮置区欧姆接触，且器件正面第一电极金属与主结电连接；沟槽栅与器件正面第二电极金属电连接。
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百度查询： 江苏中科君芯科技有限公司 可降低电压应力的沟槽栅功率器件
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