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摘要：本发明提供一种金属栅器件及制作方法，包括：在器件区形成第一多晶硅栅极，在输入输出区形成第二多晶硅栅极，第二多晶硅栅极图形密度大于第一多晶硅栅极图形密度，相邻多晶硅栅极之间形成有介质层；形成覆盖第二多晶硅栅极的掩膜层；去除第一多晶硅栅极形成开口，于开口中形成金属栅材料层，金属栅材料层还形成于介质层上方；采用化学机械研磨法去除介质层上方的金属栅材料层，位于开口中的金属栅材料层构成金属栅极。本发明通过变更高图形密度栅极的材质，低图形密度栅极采用金属栅，高图形密度栅极采用多晶硅栅，在对金属栅材料层进行研磨时研磨液对多晶硅的研磨速率低，降低高图形密度栅极厚度差异，提高器件电稳定性。
主权项：1.一种金属栅器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体基底，所述半导体基底划分为器件区和输入输出区，所述器件区上形成有第一多晶硅栅极，所述输入输出区上形成有第二多晶硅栅极，所述第二多晶硅栅极的图形密度大于所述第一多晶硅栅极的图形密度，其中，相邻的所述第一多晶硅栅极和或所述第二多晶硅栅极之间形成有介质层；形成覆盖所述第二多晶硅栅极的掩膜层，所述掩膜层显露所述第一多晶硅栅极；去除所述第一多晶硅栅极形成开口，于所述开口中形成金属栅材料层，所述金属栅材料层还形成于所述介质层上方；采用化学机械研磨法去除位于所述介质层上方的所述金属栅材料层，位于所述开口中的所述金属栅材料层构成金属栅极。
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百度查询： 重庆芯联微电子有限公司 一种金属栅器件及制作方法
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