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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明提供了一种减少晶圆缺陷的方法，属于半导体领域。该减少晶圆缺陷的方法包括提供一晶圆，在所述晶圆表面沉积金属层，所述金属层的周围填充有钝化层；刻蚀所述钝化层，并停止在金属层，以在所述金属层形成开口，暴露所述金属层；对形成有开口的晶圆进行清洗；对清洗之后的晶圆，使用惰性气体对所述开口的内壁进行轰击。本发明通过在刻蚀钝化层之后，采用氩气对开口的内壁进行轰击，以减少刻蚀气体残留在开口内壁的浓度，从而能够避免刻蚀气体、金属铝和空气发生化学反应，从而能够减少在晶圆形成结晶缺陷，提高了晶圆质量和良率。同时，也提高了器件的性能。
主权项：1.一种减少晶圆缺陷的方法，其特征在于，包括：提供一晶圆，在所述晶圆表面沉积金属层，所述金属层的周围填充有钝化层；刻蚀所述钝化层，并停止在金属层，以在所述金属层形成开口，暴露所述金属层；对形成有开口的晶圆进行清洗；对清洗之后的晶圆，使用惰性气体对所述开口的内壁进行轰击。
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