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申请/专利权人：深圳中科飞测科技股份有限公司
摘要：本申请提供了一种缺陷来源分析方法、装置、设备和介质，所述缺陷来源分析方法包括：在需要对当前工艺层中的目标缺陷进行缺陷来源分析时，先根据目标缺陷的位置数据和误差容忍度的大小确定疑似缺陷区域，再确定待匹配前层缺陷中是否存在落入所述疑似缺陷区域中的疑似匹配缺陷，然后进行疑似匹配缺陷中是否存在目标缺陷的匹配缺陷的判断处理，进而根据判断处理的结果确定目标缺陷的来源。本申请实施例提供的缺陷来源分析方法，无需将目标缺陷与前一工艺层中的所有缺陷一一做位置匹配，有效的降低了缺陷来源分析的运算复杂度，可以快速高效的确定缺陷的来源。
主权项：1.一种缺陷来源分析方法，其特征在于，包括：将目标缺陷所在的工艺层作为当前工艺层，根据检测对象的所述目标缺陷的位置数据和误差容忍度的大小，确定疑似缺陷区域；根据所述疑似缺陷区域对待匹配前层是否存在匹配缺陷进行判断处理；其中，所述判断处理，包括:确定待匹配缺陷集合内的待匹配前层的各待匹配前层缺陷中是否存在落入所述疑似缺陷区域中的疑似匹配缺陷；若在所述待匹配前层缺陷中存在落入所述疑似缺陷区域中的所述疑似匹配缺陷，根据所述疑似匹配缺陷中是否存在与所述目标缺陷之间的距离小于或等于所述误差容忍度的匹配缺陷，确定所述待匹配前层中是否具有匹配缺陷；根据所述判断处理的结果确定所述目标缺陷的来源。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳中科飞测科技股份有限公司 缺陷来源分析方法、装置、设备和介质
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