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申请/专利权人：博越微电子(江苏)有限公司
摘要：本发明公开了一种LPDDR5X的全速自测方法及系统，所述方法包括：在所述LPDDR5X的RX端的输入端增加一路接地的电阻模块；其中，所述电阻模块在正常操作模式下断开连接，在自测模式下接入工作电路。本发明通过集成的接地电阻模块，解决了现有技术中自测模式下速度受限的问题，确保了在无DRAM环境下也能实现LPDDR5XPHY的全速性能验证，提高了芯片的出库品质。
主权项：1.一种LPDDR5X的全速自测方法，其特征在于，所述方法包括：在LPDDR5X的RX端的输入端增加一路接地的电阻模块；其中，所述电阻模块在正常操作模式下断开连接，在自测模式下接入工作电路；所述电阻模块包括：一个场效应管和至少一个电阻；其中，所述场效应管的栅极连接所述LPDDR5X的PHY的控制端口，源极接地，漏极连接所述电阻，所述电阻一端连接所述场效应管的漏极，一端连接所述RX端的输入端；或者，所述电阻模块包括一个场效应管、一个多路选择器和至少两个电阻；其中，所述场效应管的栅极连接所述LPDDR5X的PHY的控制端口，源极接地，漏极连接所述多路选择器输出端，所述多路选择器的输入端分别连接不同阻值的所述电阻，所述电阻另一端连接所述RX端的输入端。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 博越微电子(江苏)有限公司 一种LPDDR5X的全速自测方法及系统
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