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申请/专利权人：武汉工程大学
摘要：本发明公开了一种杂化钙钛矿单晶微米片材料的制备方法。其步骤为：1以PbI2粉末作为反应源，采用化学气相沉积CVD系统，在衬底上真空加热生长得到含有六边形和梯形形状的PbI2微米片；2以FAI粉末作为反应源，采用化学气相沉积CVD系统，在步骤1所得表面具有六边形和梯形形状PbI2微米片的衬底上继续真空加热生长得到含有六边形和梯形形状的FAPbI3单晶微米片，其中梯形垂直于衬底生长，六边形平行于衬底生长，即得杂化钙钛矿单晶微米片材料。该方法制备过程简单，所得FAPbI3单晶质量高，杂质少，具有更大的激子结合能，有利于光吸收效率和载流子寿命，具有重要的应用前景，有利于工业化推广。
主权项：1.一种杂化钙钛矿单晶微米片材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1以PbI2粉末作为反应源，采用化学气相沉积系统，在衬底上真空加热生长得到含有六边形和梯形形状的PbI2微米片；2以FAI粉末作为反应源，采用化学气相沉积系统，在步骤1所得表面具有六边形和梯形形状PbI2微米片的衬底上继续真空加热生长得到含有六边形和梯形形状的FAPbI3单晶微米片，其中梯形垂直于衬底生长，六边形平行于衬底生长，即得杂化钙钛矿单晶微米片材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉工程大学 一种杂化钙钛矿单晶微米片材料的制备方法
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