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申请/专利权人：ASMIP控股有限公司
摘要：提供了用于通过原子层沉积在基材上形成过渡金属铌氮化物膜的方法和相关的半导体装置结构。在一些实施方式中，方法可包括使基材与包含过渡金属前体的第一反应物接触，使基材与包含铌前体的第二反应物接触，+和使基材与包含氮前体的第三反应物接触。在一些实施方式中，相关的半导体装置结构可包含半导体主体和包含在半导体主体上沉积的过渡金属铌氮化物的电极。
主权项：1.一种通过原子层沉积在基材上形成过渡金属铌氮化物膜的方法，所述方法包括：过渡金属氮化物子循环，该过渡金属氮化物子循环包括：使所述基材与包含过渡金属卤化物前体的第一反应物接触；以及使所述基材与第三反应物接触，所述第三反应物包括氮前体，氮化铌子循环，所述氮化铌子循环包括：使所述基材与包含铌前体的第二反应物接触，形成过渡金属物质与铌物质的混合物；以及使所述基材与包含氮前体的第三反应物接触，以形成过渡金属铌氮化物，其中，改变过渡金属氮化物子循环与氮化铌子循环的比率以调节膜中铌的浓度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： ASMIP控股有限公司 通过原子层沉积在基材上形成过渡金属铌氮化物膜的方法和相关半导体装置结构
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