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申请/专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要：本发明涉及一种硒掺杂过渡金属硫族化合物热电材料及其制备方法。所述硒掺杂过渡金属硫族化合物热电材料具有组成式由Ta2PdS1‑xSex6表示的晶体结构，其中0＜x≤0.07，优选x＝0.02、0.05或0.07。
主权项：1.一种硒掺杂过渡金属硫族化合物热电材料，其特征在于，所述硒掺杂过渡金属硫族化合物热电材料具有组成式由Ta2PdS1-xSex6表示的晶体结构，其中0＜x≤0.07，优选x＝0.02、0.05或0.07。
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权利要求：
百度查询： 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种硒掺杂过渡金属硫族化合物热电材料及其制备方法
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