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申请/专利权人：合肥新晶集成电路有限公司
摘要：本发明涉及一种金属硅化物层以及半导体结构的制备方法。金属硅化物层的制备方法包括：提供硅衬底；于预设沉积温度下在硅衬底的表面沉积金属层，在沉积过程中，部分金属层与部分硅衬底反应，以形成富金属相的过渡金属硅化物层；过渡金属硅化物层位于未反应的金属层及未反应的硅衬底之间；将表面形成有过渡金属硅化物层的硅衬底进行退火处理，以将过渡金属硅化物层转化为金属硅化物层。采用本申请能够简化工艺流程。
主权项：1.一种金属硅化物层的制备方法，其特征在于，所述金属硅化物层的制备方法包括：提供硅衬底；于预设沉积温度下在所述硅衬底的表面沉积金属层，在沉积过程中，部分所述金属层与部分所述硅衬底反应，以形成富金属相的过渡金属硅化物层；所述过渡金属硅化物层位于未反应的所述金属层及未反应的所述硅衬底之间；所述过渡金属硅化物层包括第一金属硅化物层及第二金属硅化物层，所述第一金属硅化物层位于未反应的所述硅衬底的上表面；所述第二金属硅化物层位于所述第一金属硅化物层与未反应的所述金属层之间；将表面形成有所述过渡金属硅化物层的所述硅衬底进行退火处理，以将所述第二金属硅化物层转变为第一金属硅化物层；退火处理过程中形成的第一金属硅化物层与沉积过程中形成的第一金属硅化物层共同构成金属硅化物层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥新晶集成电路有限公司 金属硅化物层以及半导体结构的制备方法
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