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申请/专利权人：华中科技大学
摘要：本发明公开了一种交叉点存储阵列的迭代模型建立方法及仿真方法，属于信息存储及存算一体化领域，模型为：仿真方法包括：S1初始化阵列中各结点的电压，由各存储单元的上结点和下结点的电压分别构成电压矩阵Vup和Vdown；S2根据Iarr[k‑1]＝G⊙Vup‑Vdown计算第k‑1次迭代中各存储单元的电流，并计算流过各字线及各位线的总电流；S3对第k次迭代中各存储单元的上结点电压和下结点电压进行更新以更新Vup和Vdown；S4迭代执行S2～S3，直至第k次迭代较上一次迭代的误差小于ε，或者达到最大的迭代次数。本发明能够降低仿真交叉点阵列的时间与空间复杂度。
主权项：1.一种交叉点存储阵列的迭代模型建立方法，所述交叉点存储阵列利用存储单元电阻的高低数值来表示所存储的信息，其特征在于，所述交叉点存储阵列的字线总数m和位线总数n满足：所述交叉点存储阵列的迭代模型建立方法包括：对于所述交叉点存储阵列中位于x,y处的目标存储单元，基于基尔霍夫电压定律建立如下迭代模型： 其中，x和y分别表示目标存储单元所在字线和位线的编号，1≤x≤m，1≤y≤n；表示所述目标存储单元所在字线上施加的电压，表示所述目标存储单元所在位线上施加的电压；rwl表示字线上相邻两结点间的线电阻，rbl表示位线上相邻两结点间的线电阻；Rx,y表示存储单元的电阻；Gmax表示存储单元能选取的电导范围中的最大电导；Iarr表示流过所述交叉点存储阵列中各存储单元的电流矩阵；表示在第r次迭代中，位于p,q处的存储单元的电流，下标r表示迭代次数，上标p,q表示存储单元的位置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 交叉点存储阵列的迭代模型建立方法及仿真方法
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