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申请/专利权人：住友化学株式会社
摘要：本发明提高光电转换元件的SN比。光电转换元件10具备：阳极12、阴极16、设置于阳极和阴极之间的活性层14、以及设置于阳极和活性层之间的空穴传输层13，活性层包含p型半导体材料和n型半导体材料，所述p型半导体材料是吸收峰波长为900nm以上的高分子化合物，活性层中包含的n型半导体材料的LUMO与空穴传输层中包含的空穴传输性材料的HOMO的能量差小于0.9eV。
主权项：1.一种光电转换元件，其具备：阳极、阴极、设置于该阳极和该阴极之间的活性层、以及设置于该阳极和该活性层之间的空穴传输层，所述活性层包含p型半导体材料和n型半导体材料，所述p型半导体材料是吸收峰波长为900nm以上的高分子化合物，所述活性层中包含的n型半导体材料的LUMO与所述空穴传输层中包含的空穴传输性材料的HOMO的能量差小于0.9eV，所述p型半导体材料是包含下述式I所表示的构成单元和或下述式II所表示的构成单元的高分子化合物， 式I中，Ar1及Ar2表示3价芳香族杂环基，Z表示下述式Z-1～式Z-7表示的基团， 式Z-1～式Z-7中，R表示氢原子、卤原子、烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基、1价杂环基、取代氨基、酰基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、取代氧基羰基、烯基、炔基、氰基或硝基；式Z-1～式Z-7的各式中，R存在2个的情况下，2个R相互相同或不同，-Ar3-II式II中，Ar3表示2价芳香族杂环基。
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