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一种使用中长波红外辐射测温系统的超低温快速热处理炉 

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申请/专利权人:西安和其光电科技股份有限公司

摘要:本发明属于半导体技术领域,涉及一种使用中长波红外辐射测温系统的超低温快速热处理炉,包括:加热腔、真空工艺腔,加热腔与真空工艺腔为采用石英保护玻璃相互隔离;加热腔内设有卤素加热灯、温度控制系统;真空工艺腔内待测晶圆的前晶面正对石英保护玻璃位于真空工艺腔一侧的平面;真空工艺腔内设有测温探头正对待测晶圆的背晶面;测温探头电连接温度控制系统;本发明通过选用加热腔保护玻璃不透过的波段作为工作波段,将加热光对于工作波段的辐射干扰在进入工艺腔室前拦截掉,如此则可以解决低温时加热辐射透射对于测量的干扰,使得高温计可以测得更低温度下硅晶圆的信号辐射,扩展了RTP的低温工艺范围,测温下限可以达到50摄氏度或更低。

主权项:1.一种使用中长波红外辐射测温系统的超低温快速热处理炉,其特征在于,包括:加热腔1、真空工艺腔2,所述加热腔1与所述真空工艺腔2为采用平板状的石英保护玻璃3分隔开的两个相互隔离的腔室;所述加热腔1内设有多个卤素加热灯4,所述卤素加热灯4的加热端正对所述石英保护玻璃3位于加热腔1一侧的平面;多个所述卤素加热灯4的加热端呈蜂窝状密集排布;所述加热腔1内设有温度控制系统5,所述温度控制系统5电连接所述卤素加热灯4;所述真空工艺腔2内设有机械控制系统6,所述机械控制系统6用于驱动待测晶圆7,所述待测晶圆7的前晶面正对所述石英保护玻璃3位于真空工艺腔2一侧的平面;所述真空工艺腔2内设有多个测温探头8,所述测温探头8位于所述待测晶圆7的背晶面远离加热腔1的一侧,所述测温探头8的探测端正对所述待测晶圆7的背晶面;所述测温探头8电连接所述温度控制系统5。

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权利要求:

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