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申请/专利权人：无锡中微爱芯电子有限公司
摘要：本发明涉及PMU电路技术领域，公开了一种用于MCU的低功耗PMU电路和MCU，PMU电路包括逻辑控制单元、上电复位单元、带隙基准单元、基准电压单元、LDO电路和负载电阻；在实际使用时，本发明PMU电路通过控制开关S3和开关S4的通断来控制输入到LDO电路的电压来源，其中输入到LDO电路的电压由带隙基准单元和全MOS结构的基准电压单元提供，而通过开关时序配合选择不同的控制开关S3和控制开关S4的导通，来选择不同的基准电压源和尾电流源，进而来实现PMU电路的不同模式的使用，特别是低功耗模式；相对于使用两个LDO电路控制PMU电路是否进入低功耗模式，本申请只需一个LDO单元，占用面积小，成本更低。
主权项：1.一种用于MCU的低功耗PMU电路，其特征在于，包括逻辑控制单元、上电复位单元、带隙基准单元、基准电压单元、LDO电路和负载电阻；所述上电复位单元与所述逻辑控制单元电连接，在上电时向所述逻辑控制单元发送复位信号；所述逻辑控制单元基于所述复位信号和输入的使能信号控制所述带隙基准单元是否输出带隙基准电压；所述带隙基准单元的带隙基准电压输出端和基准电压单元的基准低压输出端分别通过开关S3和开关S4与LDO电路的输入端电连接；所述LDO电路的输出端通过负载电阻接地；所述逻辑控制单元分别与开关S3的控制端和开关S4的控制端电连接，用于控制开关S3和开关S4的通断。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡中微爱芯电子有限公司 一种用于MCU的低功耗PMU电路和MCU
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