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申请/专利权人：昆明理工大学
摘要：本发明公开了一种尖晶石型高熵氧化物光电催化材料及应用，属于光电催化材料技术领域。本发明所述尖晶石型高熵氧化物光电催化材料的化学式为CuM2O4，晶体结构为尖晶石结构，四方体心晶胞，属于四方晶系，空间群为I41amd；M为Al、Ga、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni元素中的5‑8种，各M元素的摩尔百分比为10‑20％；其中M中至少含有Al、Ga中的至少一种。本发明利用CuM2O4中丰富的金属元素为光电催化反应提供了丰富的反应活性位点，提高了催化反应活性和选择性。并且，通过高熵效应，晶格畸变效应，迟滞扩散效应极大提高了光电催化材料的稳定性。本发明提供的尖晶石型光电催化材料具有高光电催化分解水活性和稳定性。
主权项：1.一种尖晶石型高熵氧化物光电催化材料，其特征在于，化学式为CuM2O4，晶体结构为尖晶石结构，四方体心晶胞，属于四方晶系，空间群为I41amd；M为Al、Ga、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni元素中的5-8种，各M元素的摩尔百分比为10-20％；其中M中至少含有Al、Ga中的至少一种；所述尖晶石型高熵氧化物光电催化材料的制备方法包括：将氧化铜和金属M的氧化物混合进行烧结，得到尖晶石型高熵氧化物光电催化材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 昆明理工大学 一种尖晶石型高熵氧化物光电催化材料及应用
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