龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
摘要：本申请属于半导体工艺技术领域，公开了一种基于硅锗PIN结构的图像传感器及其制造方法，该传感器包括：读出电路，依次叠加的玻璃衬底、氧化硅层和氧化铝层，以及设于氧化铝层之上且位于同一水平面的至少一个硅像素区域和至少一个锗像素区域；硅像素区域包括依次叠加的第一重掺杂硅接触层、本征硅可见光传感层和第二重掺杂硅接触层；锗像素区域包括依次叠加的第一重掺杂硅接触层、本征锗短波红外传感层和重掺杂锗接触层。本申请能够避免垂直堆叠过程中引入的异质界面兼容性、界面反应、晶格失配和热失配等问题，同时锗材料的应用降低了可见光‑短波红外图像传感器的制造成本。
主权项：1.一种基于硅锗PIN结构的图像传感器，其特征在于，包括：读出电路，依次叠加的玻璃衬底、氧化硅层和氧化铝层，以及设于所述氧化铝层之上且位于同一水平面的至少一个硅像素区域和至少一个锗像素区域；相邻的所述硅像素区域或所述锗像素区域之间设有浅槽；所述硅像素区域包括依次叠加的第一重掺杂硅接触层、本征硅可见光传感层和第二重掺杂硅接触层，以及钝化层、N型电极、P型电极和矩形凹槽；所述矩形凹槽贯穿所述第二重掺杂硅接触层和所述本征硅可见光传感层；所述钝化层叠加在所述第二重掺杂硅接触层和各所述矩形凹槽的内壁上；所述N型电极设于所述矩形凹槽的底部，穿过所述钝化层连接所述第一重掺杂硅接触层；所述P型电极穿过所述钝化层连接所述第二重掺杂硅接触层；所述锗像素区域包括依次叠加的第一重掺杂硅接触层、本征锗短波红外传感层和重掺杂锗接触层，以及钝化层、N型电极、P型电极和矩形凹槽；所述矩形凹槽贯穿所述重掺杂锗接触层和所述本征锗短波红外传感层；所述钝化层叠加在所述重掺杂锗接触层和各所述矩形凹槽的内壁上；所述N型电极设于所述矩形凹槽的底部，穿过所述钝化层连接所述第一重掺杂硅接触层；所述P型电极穿过所述钝化层连接所述重掺杂锗接触层；各所述N型电极和各所述P型电极均与读出电路连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 一种基于硅锗PIN结构的图像传感器及其制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号