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申请/专利权人：赛米微尔半导体(上海)有限公司
摘要：本发明涉及半导体放电管检测领域，尤其涉及一种检测半导体放电管放电性能的方法，包括：获取待检测半导体放电管，针对待检测半导体放电管的目标使用环境的相关数据进行获取；根据电磁影响偏差值以及电磁影响数量确定电磁分布状态；根据电磁分布状态确定数量确认方式以及是否根据各关联组合中的各场景电磁装置确定模拟电磁装置的位置以及电磁波强度；根据最高温度值以及最高温度持续时长确定温度设置方法；根据参考温度值确定针对玻璃钝化层厚度进行调节或针对最高温度值进行优化检测；根据最大涌浪电流确定针对的P型基区划分数量调节或针对响应时间进行优化检测。本发明能够提高半导体放电管的检测准确度。
主权项：1.一种检测半导体放电管放电性能的方法，其特征在于，包括：获取待检测半导体放电管，针对待检测半导体放电管的目标使用环境的相关数据进行获取；根据目标使用环境中电磁影响偏差值以及电磁影响数量确定电磁分布状态；根据目标使用环境的电磁分布状态确定数量确认方式以及是否根据各关联组合中的各场景电磁装置确定模拟电磁装置的位置以及电磁波强度；数量确认方式为根据电磁干扰方向确定模拟电磁装置的数量，或，将模拟电磁装置的数量设置为标准数量；根据历史使用过程中目标使用环境的最高温度值以及最高温度持续时长确定温度设置方法；根据待检测半导体放电管的参考温度值确定针对玻璃钝化层厚度进行调节，或，针对最高温度值进行优化检测；检测待检测半导体放电管的最大浪涌电流，根据最大涌浪电流确定针对待检测半导体放电管的P型基区划分数量调节，或，针对响应时间进行优化检测。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 赛米微尔半导体(上海)有限公司 一种检测半导体放电管放电性能的方法
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