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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：本公开内容的实施方式有利地提供半导体器件CFET，特别是以及制造具有完全应变的超晶格结构的此类器件的方法，该完全应变的超晶格结构具有实质无缺陷的沟道层以及具有具降低的选择性去除速率的释放层。本文所述的CFET包括垂直堆叠的超晶格结构，该垂直堆叠的超晶格结构在基板上，该垂直堆叠的超晶格结构包含：第一hGAA结构，该第一hGAA结构在基板上；牺牲层，该牺牲层在该第一hGAA结构的顶表面上，该牺牲层包含具有按原子计在大于0％至50％范围内的锗含量的硅锗SiGe；及第二hGAA结构，该第二hGAA结构在该牺牲层的顶表面上。第一hGAA和第二hGAA中的各者包括包含硅Si的纳米片沟道层以及包含掺杂的硅锗SiGe的纳米片释放层的交替层。
主权项：1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：通过以下步骤在基板上形成垂直堆叠的超晶格结构：在基板上形成第一水平环绕式栅极hGAA结构；在所述第一hGAA结构的顶表面上形成一牺牲层，所述牺牲层包括具有按原子计在大于0％至50％范围内的锗含量的硅锗SiGe；和在所述牺牲层的顶表面上形成第二水平环绕式栅极hGAA结构，其中所述第一hGAA结构和所述第二hGAA结构中的各者包括纳米片沟道层和纳米片释放层的交替层，所述纳米片沟道层包括硅Si且所述纳米片释放层中的各者独立地包括掺杂有掺杂剂的硅锗SiGe。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 有碳掺杂释放层的单片互补场效应晶体管
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