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申请/专利权人：安徽科谱芯光科技有限公司
摘要：本申请公开了一种高速直接调制的含横向耦合腔TCC‑VCSEL的制备方法，其中所述VCSEL芯片外延结构以下至上包括:n型GaAs衬底，n型缓冲层,n‑DBR层，包括量子阱和势垒层的有源层，由氧化限制层窗口定义的选择区域砷离子注入第一p‑DBR层,氧化限制层，第二p‑DBR层和高掺杂p接触层。两个相互联接的方型氧化物限制窗口形成正常VCSEL发光窗口和提供光学反馈的横向耦合腔。本申请可以有效控制VCSEL氧化限制窗口的尺寸，尤其是能够精确控制横向耦合腔的尺寸并改善其均匀性,从而能够增加VCSEL带宽，提高良率，可以使低成本的VCSEL激光器满足高速通信领域的需求，降低通信系统的成本。
主权项：1.一种含横向耦合腔的TCC-VCSEL的制备方法，其特征在于，包括如下步骤二在n衬底上生长n缓冲层和n-DBR层；在所述n-DBR层上生长嵌入于1-入厚度的AlGaAs分离异质结构层的包括发光量子阱和势垒层的有源层；在所述有源层之上生长第一p-DBR层；对所述第一p-DBR层进行氧化限制窗口区域外As+离子注入；在被As+离子注入的所述第一p-DBR层上继续生长氧化限制层；在所述氧化限制层上继续生长第二p-DBR层；在第二p-DBR层继续生长高掺杂p型接触层；对所述p型接触层、所述第二p-DBR层、所述氧化限制层、所述第一p-DBR层、所述有源层、所述n-DBR层和缓冲层进行台面刻蚀；对所述氧化限制层进行高温湿氧化操作，其中，λ厚度是指VCSEL发光波长的厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽科谱芯光科技有限公司 一种含横向耦合腔TCC-VCSEL的制备方法
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