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申请/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要：本发明涉及到一种梯度Al组分AlGaN深紫外LED及其制备方法，属于半导体深紫外发光技术领域。解决了现有技术中AlGaN深紫外LED的内量子效率低的技术问题。本发明的梯度Al组分AlGaN深紫外LED，包括：衬底；在所述衬底上依次生长的固定Al组分n‑AlGaN层、梯度Al组分n‑AlGaN层、GaNAlGaN多量子阱层、p‑AlGaN层和p‑GaN层；固定在p‑GaN层上方的p型电极，p型电极区刻蚀至p‑GaN层；固定在固定Al组分n‑AlGaN层上方的n型电极，n型电极区刻蚀至固定Al组分n‑AlGaN层。该梯度Al组分AlGaN深紫外LED的梯度结构设计，增加了电子在量子阱中的俘获率，降低了空穴输运的有效势垒，从而提高了内量子效率。
主权项：1.梯度Al组分AlGaN深紫外LED，其特征在于，包括：衬底；在所述衬底上依次生长的固定Al组分n-AlGaN层、梯度Al组分n-AlGaN层、GaNAlGaN多量子阱层、p-AlGaN层和p-GaN层；且梯度Al组分n-AlGaN层、GaNAlGaN多量子阱层、p-AlGaN层和p-GaN层组成台面结构；固定在p-GaN层上方的p型电极；固定在固定Al组分n-AlGaN层上方的n型电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种梯度Al组分AlGaN深紫外LED及其制备方法
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