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申请/专利权人：广州南砂晶圆半导体技术有限公司
摘要：本申请提供一种交流电阻加热器及SiC单晶生长装置，交流电阻加热器包括底部发热体及中部发热体；底部发热体用于加热坩埚内物料装填区底部的物料，中部发热体用于加热坩埚内物料装填区中上部的物料，且中上部物料的中部发热体沿轴向单位长度的发热量大于底部发热体沿轴向单位长度的发热量，如此，可以在物料的底部与中上部之间形成轴向温度梯度，使得底部物料的温度低于中上部物料的温度，底部分解的SiC气相组分在上升过程中不会在温度较高的物料表面结晶，而是直接进入生长腔体内，并通过扩散或对流在籽晶上结晶，提高了晶体的生长速度，且有助于4H‑SiC晶型的稳定。
主权项：1.一种交流电阻加热器，其特征在于，沿第一方向，所述交流电阻加热器包括底部发热体11及中部发热体12，所述底部发热体11用于加热坩埚内物料装填区底部的物料，所述中部发热体12用于加热坩埚内物料装填区中上部的物料；所述第一方向为所述交流电阻加热器的轴向；沿所述第一方向，所述中部发热体12单位长度所能够产生的热量大于所述底部发热体11单位长度所能够产生的热量。
全文数据：
权利要求：
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