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申请/专利权人：中电化合物半导体有限公司
摘要：本实用新型公开了一种晶体生长坩埚，至少包括：坩埚盖；混合腔，设置在所述坩埚盖的一侧；至少一个原料装填部，所述原料装填部设置在所述混合腔远离所述坩埚盖的一侧，且所述原料装填部与所述混合腔可拆卸连接；以及多孔隔板，设置在所述坩埚盖和所述混合腔之间。通过本实用新型提供的晶体生长坩埚，能够改善原料内部受热不均的问题，提高晶体质量。
主权项：1.一种晶体生长坩埚，其特征在于，至少包括：坩埚盖；混合腔，设置在所述坩埚盖的一侧；至少一个原料装填部，所述原料装填部设置在所述混合腔远离所述坩埚盖的一侧，且所述原料装填部与所述混合腔可拆卸连接；以及多孔隔板，设置在所述坩埚盖和所述混合腔之间。
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百度查询： 中电化合物半导体有限公司 一种晶体生长坩埚
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