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申请/专利权人：中微半导体设备(上海)股份有限公司
摘要：本发明公开了一种基片的低温刻蚀方法，所述基片包括介质材料，所述方法包括：a将基片放置在一腔体的基座上，所述基座包括其中具有流动的冷却剂的冷却通道，b通过冷却剂将基片冷却到一冷却温度，所述冷却温度小于等于‑20℃，c向所述腔体通入刻蚀气体以生产等离子体，刻蚀基片的介质材料，所述刻蚀气体包括卤素族单质或其化合物气体。本发明还公开了一种使用上述方法的刻蚀装置。
主权项：1.一种基片的低温刻蚀方法，所述基片包括介质材料和图案化掩膜，所述方法包括：a）将基片放置在一腔体的基座上，所述基座包括其中具有流动的冷却剂的冷却通道，b）通过冷却剂将基片冷却到一冷却温度，所述冷却温度小于等于-20℃，c）向所述腔体通入刻蚀气体以生产等离子体，刻蚀基片的介质材料；所述刻蚀气体包括下列气体中的至少一种：F2、Cl2、NF3、SF6、CBrF3；所述冷却温度比所述刻蚀气体的冷凝温度高10℃-30℃；在所述低温刻蚀方法中，向所述腔体内提供幅度至少为400伏的偏压，并提供3至70毫托的压力。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种低温刻蚀的方法及装置
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