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申请/专利权人:哈尔滨工业大学
摘要:一种基于多层膜选择性发射器的热光伏系统及其制备方法,它属于热光伏发电领域。本发明要解决现有光伏电池吸收带隙与发射光谱不匹配造成热量损失的问题。基于多层膜选择性发射器的热光伏系统,它包括热源、热发射器、导热钢及光伏电池,且导热钢位于热源与热发射器之间;所述的热发射器为金属衬底和多层薄膜组成,且多层薄膜位于金属衬底表面;所述的多层薄膜为金属层和介质层交替组成。方法:在金属衬底表面沉积多层薄膜,得到热发射器,将热发射器固定于导热钢外围表面,最后将热源固定于导热钢中空内部。本发明用于基于多层膜选择性发射器的热光伏系统及其制备。
主权项:1.一种基于多层膜选择性发射器的热光伏系统,其特征在于它包括热源、热发射器、导热钢及光伏电池,且导热钢位于热源与热发射器之间;所述的热发射器为金属衬底和多层薄膜组成,且多层薄膜位于金属衬底表面;所述的多层薄膜由第一层为57nm厚度的钨膜、第二层为47nm厚度的二氧化硅膜、第三层为7nm厚度的钨膜、第四层为40nm厚度的二氧化硅膜、第五层为7nm厚度的钨膜及第六层为25nm厚度的二氧化硅膜组成;所述的金属衬底为钢片;所述的热源为氮化硅电加热棒;所述的光伏电池为GaAs光伏电池;上述一种基于多层膜选择性发射器的热光伏系统的制备方法,它是按以下步骤进行:在金属衬底表面依次沉积第一层为57nm厚度的钨膜、第二层为47nm厚度的二氧化硅膜、第三层为7nm厚度的钨膜、第四层为40nm厚度的二氧化硅膜、第五层为7nm厚度的钨膜及第六层为25nm厚度的二氧化硅膜,得到热发射器,将热发射器固定于导热钢外围表面,最后将热源固定于导热钢中空内部;利用磁控溅射镀膜方法,在金属衬底表面沉积钨膜,具体是按以下步骤进行:以钨靶为靶材,在射频电源的溅射功率为100W、沉积温度为常温、保护气体为氩气、气体流量为40sccm及真空室压力为1.5Pa的条件下溅射钨膜,每分钟沉积12.5nm;利用磁控溅射镀膜方法,在金属衬底表面沉积二氧化硅膜,具体是按以下步骤进行:以二氧化硅靶为靶材,在射频电源的溅射功率为100W、沉积温度为常温、保护气体为氩气、气体流量为40sccm及真空室压力为1.5Pa的条件下溅射二氧化硅膜,每分钟沉积4.17nm。
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百度查询: 哈尔滨工业大学 一种基于多层膜选择性发射器的热光伏系统及其制备方法
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