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申请/专利权人：刘英哲

摘要：本发明涉及一种微集成式LED芯片及其制备方法。该芯片包括：支撑衬底，包括相对的第一表面和第二表面；通孔，贯穿于所述支撑衬底的所述第一表面至所述第二表面，且所述通孔的个数为多个；金属填充物，所述金属填充物填充于所述通孔内；第一电极结构，所述第一电极结构位于所述第一表面上，且与所述金属填充物电连接；发光单元，位于所述第一电极结构上，且与所述第一电极结构电连接；第二电极结构，位于所述第二表面上，与所述金属填充物电连接；保护膜，包覆于所述支撑衬底的第一表面，且将所述第一电极结构和所述发光单元包覆在内。本发明可以解决现有LED芯片因无法测试导致芯片光电性能一致性差、无法返修的问题。

主权项：1.一种微集成式LED芯片，其特征在于，包括：支撑衬底，所述支撑衬底包括相对的第一表面和第二表面；通孔，所述通孔贯穿于所述支撑衬底的所述第一表面至所述第二表面，且所述通孔的个数为多个；金属填充物，所述金属填充物填充于所述通孔内；所述金属填充物的填充高度大于所述通孔的高度，且所述金属填充物均凸出所述第一表面和所述第二表面；所述金属填充物包括粘结层和导电层；所述粘结层填充于所述通孔内，所述导电层位于所述粘结层外部，且凸出所述第一表面和所述第二表面；第一电极结构，所述第一电极结构位于所述第一表面上，且所述第一电极结构与所述金属填充物电连接；所述第一电极结构包括m个子组，每个所述子组包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极为极性相反的电极，m为大于2的整数；所述通孔的个数至少为m+1个；所述m个子组的m个第一电极共同连接至第一通孔中的金属填充物，所述m个子组的m个第二电极分别一一对应连接至不同于所述第一通孔的m个通孔中的金属填充物；每个所述子组还包括桥接电极和接触电极；每个子组的第一电极通过同一子组的桥接电极连接至对应的金属填充物，所述m个子组的m个桥接电极之间电连接；每个子组的第二电极通过同一子组的接触电极连接至对应的金属填充物；发光单元，所述发光单元位于所述第一电极结构上，所述发光单元和所述第一电极结构通过键合的方式连接；第二电极结构，所述第二电极结构位于所述第二表面上，且所述第二电极结构与所述金属填充物电连接；保护膜，所述保护膜包覆于所述支撑衬底的第一表面，且将所述第一电极结构和所述发光单元包覆在内；所述保护膜在400-800nm波段，光透过率≥95，其材料为有机材料。

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