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申请/专利权人：兰州大学
摘要：本发明涉及一种异质结构的氢气传感器芯体，所述异质结构的氢气传感器芯体为能够在室温下检测ppb级浓度的氢气传感器芯体，所述氢气传感器芯体包括基底和敏感膜，以及位于所述基底和敏感膜之间的介质层。所述敏感膜为金属钯膜或钯金合金膜或金属铂膜，所述敏感膜厚度为100‑200nm；所述介质层为氧化硅或氧化铝或氮化硅层，所述介质层厚度为30‑50nm；所述基底为N型硅、P型硅或者未掺杂的硅片。基于该芯体构筑的氢气传感器具有体积小、成本低、所需温度低的特点，在室温下能够监测ppb级浓度的氢气。
主权项：1.一种异质结构的氢气传感器芯体，其特征在于，所述氢气传感器芯体为能够在室温下检测ppb级浓度的氢气传感器芯体，所述氢气传感器芯体包括基底和敏感膜，以及位于所述基底和敏感膜之间的介质层；所述敏感膜为金属钯膜或钯金合金膜或金属铂膜；所述敏感膜厚度为100-200nm；所述氢气传感器芯体为基于Si-Pb异质结构的氢气传感器芯体；所述氢气传感器芯体能够通过钯与氢生成不稳定的化学键，同时使H2分子催化裂解为H原子，并与之结合成PdHx0x0.7，根据x的取值不同，功函数可在3.2-5.27eV范围内可调，从而改变PdSi肖特基势垒高度，改变PdSi异质结构电输运特性，从而能够对H2进行高灵敏传感的氢气传感器芯体；所述介质层为氧化硅或氧化铝或氮化硅层，所述介质层厚度为30-50nm；对氢气浓度的检测下限可达20ppb。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 兰州大学 一种异质结构的氢气传感器芯体
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