买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
申请/专利权人:武汉工程大学
摘要:本发明提供了一种基于阿秒条纹重构非均匀场空间依赖系数的方法,针对现有技术中尚未得到研究的非均匀红外场辅助下的原子单光子电离过程,通过电子光辐射时间实现了重构非均匀红外场的空间依赖系数的功能。本发明反映了非均匀红外场辅助下原子单光子电离中电子的动力学过程。本发明用于实现对纳米结构附近等离子增强电场进行成像。
主权项:1.一种基于阿秒条纹重构非均匀场空间依赖系数的方法,其特征在于:包括以下步骤:S1:在非均匀红外电场辅助下测量阿秒脉冲与工作气体相互作用产生的阿秒条纹谱;S2:对阿秒条纹谱进行加权平均得到阿秒条纹谱的中心动能Ecoe;将中心动能Ecoe按照非均匀红外电场矢势的解析形式,采用非线性最小二乘法拟合得到光电离时间延迟δτ1;S3:利用粒子群算法并求解数值计算牛顿方程,得到随机非均匀电场空间依赖系数下,非均匀红外电场和单个阿秒脉冲共同与工作气体相互作用产生的经典条纹轨迹;将经典条纹轨迹按照非均匀红外电场矢势的解析形式进行非线性最小二乘法拟合,获得不同电场空间依赖系数下的经典光电离时间延迟δτ2,并将其与步骤S2得到的光电离时间延迟δτ1进行对比,找出最优的空间依赖系数作为非均匀红外电场的空间依赖系数。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 武汉工程大学 一种基于阿秒条纹重构非均匀场空间依赖系数的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。