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申请/专利权人：华润微电子(重庆)有限公司
摘要：本发明提供一种HEMT器件及其制备方法，该HEMT器件包括半导体结构、环形隔离层、帽层、源极、漏极、栅极及隔离电极，其中，半导体结构包括依次层叠的衬底、沟道层及势垒层，环形隔离层位于势垒层的上表面，且环形隔离层环绕的区域作为主体器件区；帽层位于主体器件区中势垒层的上表面且与环形隔离层间隔预设距离；源极及漏极均与主体器件区的势垒层电连接，帽层位于源极与漏极之间并与源极和漏极间隔预设距离；栅极位于帽层的上表面并与帽层电连接，隔离电极位于环形隔离层的上表面并与环形隔离层电连接。本发明通过设置与帽层同步形成的环形隔离层来定义主体器件区，实现器件隔离的同时简化了工艺步骤，降低了成本。
主权项：1.一种HEMT器件，其特征在于，包括：半导体结构，包括依次层叠的衬底、沟道层及势垒层；多个环形隔离层，位于所述势垒层的上表面，且所述环形隔离层环绕的区域作为主体器件区；帽层，位于所述主体器件区中所述势垒层的上表面且与所述环形隔离层间隔预设距离；源极及漏极，均与所述主体器件区上表面的所述势垒层电连接，所述帽层位于所述源极与所述漏极之间并与所述源极和所述漏极间隔预设距离；栅极及隔离电极，所述栅极位于所述帽层的上表面并与所述帽层电连接，所述隔离电极位于所述环形隔离层的上表面并与所述环形隔离层电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华润微电子(重庆)有限公司 一种HEMT器件及其制备方法
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