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申请/专利权人：光驰半导体技术(上海)有限公司
摘要：本发明公开了一种半导体器件、氧化铪膜层的制作方法及装置。氧化铪膜层的制作方法包括：提供一基底；向所述基底的一侧通入铪源和第一氧源形成第一氧化铪层；向所述第一氧化铪层远离所述基底的一侧通入所述铪源和第二氧源形成第二氧化铪层，其中，所述氧化铪膜层包括所述第一氧化铪层和所述第二氧化铪层，所述第二氧源包括氧气。本发明提供了一种半导体器件、氧化铪膜层的制作方法及装置，可以提高氧化铪膜层的膜层质量。
主权项：1.一种氧化铪膜层的制作方法，其特征在于，包括：提供一基底；向所述基底的一侧通入铪源和第一氧源形成第一氧化铪层；向所述第一氧化铪层远离所述基底的一侧通入所述铪源和第二氧源形成第二氧化铪层，其中，所述氧化铪膜层包括所述第一氧化铪层和所述第二氧化铪层，所述第二氧源包括氧气。
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